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L’essor des dispositifs semi-conducteurs GaN : une révolution dans l’électronique de puissance
Les dispositifs semi-conducteurs à base de nitrure de gallium (GaN) représentent une avancée technologique majeure dans le domaine de l’électronique de puissance et des communications à haute fréquence. Grâce à leurs performances supérieures par rapport aux semi-conducteurs traditionnels comme le silicium (Si), les composants GaN jouent un rôle clé dans la transformation numérique et énergétique mondiale.
Qu’est-ce que le GaN ?
Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau semi-conducteur de large bande interdite, caractérisé par une excellente conductivité thermique, une grande résistance aux hautes tensions et une capacité à fonctionner à des fréquences élevées. Ces propriétés font du GaN un choix privilégié pour les applications nécessitant des performances élevées et une efficacité énergétique accrue.
